Однако стоит вернуться к основной теме сообщения - технологии изготовления 28-нм интегральных микросхем, которая будет подготовлена к 2010 году. Как и в случае ее предшественника, TSMC рассчитывает использовать 193-нм иммерсионную литографию, формировать медные межсоединения, диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью, технологию напряженного кремния и пр.

Что интересно, компания планирует заказчикам предлагать два варианта формирования массивов затворов: с использованием традиционного оксинитрида кремния, либо с применением новейших материалов. В последнем случае также возможны два варианта: для создания маломощных и экономичных интегральных микросхем, либо высокопроизводительных решений. Несмотря на некоторые различия, оба типа интегральных микросхем будут характеризоваться значительно увеличенной плотностью размещения элементов на кремниевом кристалле, повышению скоростных показателей на 50%, и на 30-50% сниженным энергопотреблением (по сравнению с 40-нм микросхемами). Что касается 32-нм техпроцесса, то в этом случае будет применяться только лишь оксинитрид кремния.

Причиной пересмотра своих первоначальных планов в отношении 32-нм техпроцесса компанией TSMC является, по всей видимости, неготовность использования металлических и high-k-материалов для формирования затворов. Пока официальные представители тайваньского чипмейкера отказываются от комментариев, однако наблюдатели склоняются именно к такому объяснению.